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晶片檢測

健明迪檢測提供的晶片檢測,檢測項目:厚度檢測,指標檢測,工業問題診斷等,檢測標準參考:DINEN62047-9-2012半導體器件微電機器件第9部分:微,具有CMA,CNAS認證資質。
晶片檢測
我們的服務 晶片檢測

我們的檢測有哪些優勢?

產品評估:成分分析,分析成分比例,改善生產缺陷,提升產品品質性能

政府監管:工商檢測,市場監督,項目投標招標,申請退稅基金等

上市品控:保證自己的產品能順利進入各種電商品臺,商超等

打通市場:增強企業的認知可信度,擴大市場占有率,提高企業競爭力,彰顯產品品質

工業診斷:為您解決工藝、材料中的未知物定性定量分析服務

檢測流程

1、寄樣

2、免費的初檢

3、報價表

4、兩方確認,簽署保密協議書,開使試驗

5、7-10個工作日左右完成試驗

6、中后期服務,郵寄檢測報告!

檢測標準參考

CEI EN 50513-2010太陽能晶片。太陽能電池制造用晶體硅晶片的數據表和產品信息

CEI EN 62047-9-2012半導體器件.微機電器件.第9部分:微機電系統的晶片間鍵合強度測量

CEI EN 62276-2013聲表面波器件用單晶晶片.規范和測量方法

DIN EN 62047-9-2012半導體器件 微電機器件 第9部分:微電機系統用晶片與晶片粘結強度的測量

DIN EN 62276-2006聲表面波設備用單晶片 規范和測量方法

GB/T 5238-2019鍺單晶和鍺單晶片

GB/T 11073-2007硅片徑向電阻率變化的測量方法

GB/T 11297.6-1989銻化銦單晶位錯蝕坑的腐蝕顯示及測量方法

GB/T 13387-2009硅及其它電子材料晶片參考面長度測量方法

GB/T 14844-2018半導體材料牌號表示方法

GB/T 16595-2019晶片通用網格規范

GB/T 16596-2019確定晶片坐標系規范

GB/T 18852-2020無損檢測 超聲檢測 測量接觸探頭聲束特性的參考試塊和方法

GB/T 19921-2018硅拋光片表面顆粒測試方法

GB/T 20229-2006磷化鎵單晶

GB/T 24578-2015硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法

GB/T 25188-2010硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的測量 X射線光電子能譜法

GB/T 26066-2010硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法

GB/T 26070-2010化合物半導體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測試方法

GB/T 26071-2018太陽能電池用硅單晶片

檢測樣品:晶片

檢測項目:厚度檢測,指標檢測,工業問題診斷等

檢測周期:7-15個工作日(參考周期)

檢測項目:厚度檢測,指標檢測,工業問題診斷等,檢測標準參考:DIN EN 62047-9-2012半導體器件 微電機器件 第9部分:微電機系統用晶片與晶片粘結強度的測量。健明迪檢測國家高新技術企業,檢測資質齊全,實驗室儀器先進,真正的一站式檢測服務。
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