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單晶硅檢測(cè)

健明迪檢測(cè)提供的單晶硅檢測(cè),檢測(cè)項(xiàng)目:外觀檢測(cè),切片檢測(cè),電阻率檢測(cè),氧含量檢測(cè),純度檢測(cè),同心圓檢測(cè)等,檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)參考 DIN50434-1986半導(dǎo)體材料的檢驗(yàn);單晶硅試樣的(111),具有CMA,CNAS認(rèn)證資質(zhì)。
單晶硅檢測(cè)
我們的服務(wù) 單晶硅檢測(cè)

檢測(cè)流程

1、溝通檢測(cè)產(chǎn)品、項(xiàng)目、需求。

2、郵遞寄樣或者上門取樣。

3、確定報(bào)價(jià),定制專屬方案。

4、簽訂合同和保密協(xié)議

5、開始規(guī)劃化實(shí)驗(yàn)

6、實(shí)驗(yàn)結(jié)束后,出具原始數(shù)據(jù)檢測(cè)報(bào)告。

6、郵寄檢測(cè)報(bào)告

7、增值服務(wù)

第三方檢測(cè)報(bào)告作用

1、銷售使用。(檢測(cè)報(bào)告用于銷售產(chǎn)品,讓客戶了解產(chǎn)品)

2、研發(fā)使用。(研發(fā)新的產(chǎn)品,縮短研發(fā)周期,降低研發(fā)成本)

3、投標(biāo)競(jìng)標(biāo)使用。(檢測(cè)報(bào)告用于投標(biāo)競(jìng)標(biāo)使用,評(píng)分較高)

4、改善產(chǎn)品使用。(通過檢測(cè)數(shù)據(jù)來改善自己產(chǎn)品的質(zhì)量,提高產(chǎn)品質(zhì)量)

5、逆向生產(chǎn),模擬生產(chǎn)。(通過檢測(cè)成分,實(shí)現(xiàn)逆向生產(chǎn))

6、科研項(xiàng)目,高校論文。(代做高校實(shí)驗(yàn),檢測(cè)數(shù)據(jù)用于科研項(xiàng)目或者論文使用)

檢測(cè)優(yōu)勢(shì)

1、集體所有制單位,主要以研發(fā),檢測(cè),分析為主。經(jīng)驗(yàn)豐富,服務(wù)面廣。

2、支持上門取樣,寄樣檢測(cè)。

3、所有的樣品初檢都是免費(fèi)的。

4、口碑好,主要服務(wù)于政府單位、事業(yè)單位、大學(xué)科研單位,企業(yè)以及部分個(gè)人客戶。

5、實(shí)驗(yàn)室科研團(tuán)隊(duì)強(qiáng)大,實(shí)驗(yàn)室儀器先進(jìn)并且齊全。

6、實(shí)驗(yàn)室分支比較多,多家分支實(shí)驗(yàn)室。

7、檢測(cè)周期短、費(fèi)用低、數(shù)據(jù)科學(xué)準(zhǔn)確。

8、提供完善的售后服務(wù)。

9、健明迪檢測(cè)出具的檢測(cè)報(bào)告支持掃碼查詢真?zhèn)?,?bào)告認(rèn)可。

10、所有實(shí)驗(yàn)都會(huì)簽訂保密協(xié)議,注重保護(hù)客戶隱私。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)參考

DIN 50434-1986半導(dǎo)體材料的檢驗(yàn); 單晶硅試樣的(111) 和(100) 蝕面上晶體結(jié)構(gòu)缺陷的測(cè)定

DIN 50443-1-1988半導(dǎo)體工藝使用材料的檢驗(yàn).第1部分:用X射線外形測(cè)量法檢測(cè)半導(dǎo)體單晶硅中晶體缺陷和不均勻性

DIN 50443-2-1994半導(dǎo)體工藝材料檢驗(yàn);用X射線粘撲法證明半導(dǎo)體單晶硅中晶體缺陷和不均勻性.Ⅲ-V-連接半導(dǎo)體

DIN 50453-1-1990半導(dǎo)體技術(shù)用材料的檢驗(yàn);腐蝕劑腐蝕率的測(cè)定;單晶硅,重量法

GB/T 6492-1986航天用標(biāo)準(zhǔn)太陽電池

GB/T 6494-2017航天用太陽電池電性能測(cè)試方法

GB/T 6496-2017航天用太陽電池標(biāo)定方法

GB/T 14015-1992硅-蘭寶石外延片

GB/T 20176-2006表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 用均勻摻雜物質(zhì)測(cè)定硅中硼的原子濃度

GB/T 29054-2019太陽能電池用鑄造多晶硅塊

GB/T 29055-2019太陽能電池用多晶硅片

GB/T 29057-2012用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)多晶硅棒的規(guī)程

GB/T 29195-2012地面用晶體硅太陽電池總規(guī)范

GB/T 32277-2015硅的儀器中子活化分析測(cè)試方法

GB/T 32649-2016光伏用高純石英砂

GB/T 32651-2016采用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜法測(cè)量太陽能級(jí)硅中痕量元素的測(cè)試方法

GB/T 33236-2016多晶硅 痕量元素化學(xué)分析 輝光放電質(zhì)譜法

GB/T 38190-2019航天用太陽電池電子輻照試驗(yàn)方法

GOST 19658-1981單晶硅錠 技術(shù)條件

GOST 24392-1980單晶硅和單晶鍺 電阻率的四探針測(cè)定法

檢測(cè)樣品:單晶硅

檢測(cè)項(xiàng)目:外觀檢測(cè),切片檢測(cè),電阻率檢測(cè),氧含量檢測(cè),純度檢測(cè),同心圓檢測(cè)等。

檢測(cè)周期:7-15個(gè)工作日(參考周期)

單晶硅檢測(cè)項(xiàng)目:外觀檢測(cè),切片檢測(cè),電阻率檢測(cè),氧含量檢測(cè),純度檢測(cè),同心圓檢測(cè)等。
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